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- 2024-01-20 发布于四川
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本发明采用金属镓和Ga2O3粉末混合物作为GaN生长过程中的Ga源，改变了在传统的HVPE中只采用金属镓作为镓源的方式，可以有效的产生Ga2O气体，防止传统的GaCl和氨气反应产生过多的氯化铵固态产物堵塞设备出口，并提高了原材料的利用率、GaN生长速率和晶体质量等。因为固态产物的减少，HVPE设备可以长时间运行，不需要短时间内进行设备清理，可以进行厘米级大尺寸GaN体单晶晶锭的生长。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117418316A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311457282.3
(22)申请日2023.11.03
(71)申请人南京大学
地址210023
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