原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种存储器及其制造方法、电子设备，该存储器包括：第一结构层，包括第一衬底以及设置在所述第一衬底上的逻辑电路，所述逻辑电路包括间隔设置在所述第一衬底上的多个逻辑晶体管，所述多个逻辑晶体管依次电连接；第二结构层，层叠设置在所述第一结构层上，所述第二结构层包括第二衬底以及设置在所述第二衬底上的存储电路，所述存储电路包括至少一个存储单元，所述存储单元包括至少一个存储晶体管；所述第一结构层中设置有与所述逻辑电路连通的第一通孔，所述第二结构层中设置有与所述存储电路连通的第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔互
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117423655A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202211637671.X
(22)申请日2022.12.16
(71)申请人北京超弦存储器研究院
地址100
文档评论（0）