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电路与电子技术主要内容：半导体基础知识半导体二极管晶体三极管第3章半导体器件基础第二篇模拟电子技术

电路与电子技术第3章半导体器件基础电子信息系统的组成模拟电子电路数字电子电路传感器接收器隔离、滤波、放大运算、转换、比较功放模拟-数字混合电子电路模拟电子系统执行机构

电路与电子技术第3章半导体器件基础第一节半导体基础知识一、基本概念半导体—导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体—纯净的具有晶体结构的半导体。如硅、锗等。3.1.1杂质半导体一、N型半导体在本征半导体硅或锗中掺入微量五价元素，如磷(称为杂质)等，可使自由电子的浓度大大增加，自由电子成为多数载流子，空穴成为少数载流子，这种以电子导电为主的半导体称为N型半导体。+5+4+4+4+4+4磷原子自由电子

电路与电子技术第3章半导体器件基础二、P型半导体+3+4+4+4+4+4硼原子空穴在本征半导体硅或锗中掺入微量三价元素(如:硼)，则空穴的浓度大大增加，空穴成为多数载流子，自由电子成为少数载流子，这种以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。空穴数电子数空穴—多子电子—少子载流子数?空穴数3.1.2PN结的形成及单向导电性PN结：P型半导体和N型交界处所形成的结。内电场P区N区

电路与电子技术第3章半导体器件基础3.1.2PN结的单向导电性1.外加正向电压(正向偏置)—forwardbiasP区N区内电场+?UR外电场外电场与内电场方向相反，削弱内电场使空间电荷区变窄IFIF?I多子限流电阻2.外加反向电压（反向偏置)—reversebias?+UR内电场外电场外电场与内电场方向相同使内电场增强，空间电荷区变宽IRIR=I少子?0PN结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大;反偏截止，电阻很大，电流近似为零。扩散运动加强形成正向电流IF漂移运动加强形成反向电流IRP区N区

电路与电子技术第3章半导体器件基础第二节半导体二极管（SemiconductorDiode)3.2.1二极管的结构和符号构成：PN结+引线+管壳=二极管(Diode)符号：A(阳极)K(阴极)文字符号：Ｄ分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型平面型

电路与电子技术第3章半导体器件基础3.2.2二极管的伏安特性一、PN结的伏安特性方程即常温下:UT=26mV反向饱和电流?IR温度的电压当量玻尔兹曼常数电子电量当T=300（27?C）分析：i=0当正偏（u＞0）时i≈ISeu/UTi随u按指数规律变化当反偏（u＜0）时i≈-ISi与u无关当u=0时

电路与电子技术第3章半导体器件基础二、二极管的伏安特性曲线OuD/ViD/mA正向特性Uon开启电压iD=0Uon=0.5V0.2V(硅管)(锗管)uD?Uon时D导通iD急剧上升1.正向特性0?uD?Uon时UF=0.6?0.8V硅管0.7V0.1?0.3V锗管0.2V反向特性ISU(BR)反向击穿2.反向特性uD?U（BR）iD=-IS(反向饱和电流)0.1?A(硅)几十?A(锗)3.反向击穿特性uD?U（BR）反向电流急剧增大(反向击穿)导通电压

电路与电子技术第3章半导体器件基础三、温度对二极管特性的影响T升高时，UF减小，IR增大UF以?2?2.5mV/?C减小IR以2IR/10?C增大604020–0.02O0.4–25–50iD/mAuD/V20?C90?C[例1]如图所示整流电路中，二极管D为理想二极管，已知输入电压ui为正弦波，试画出输出电压波形。例1题图

电路与电子技术第3章半导体器件基础3.2.3特殊二极管1、伏安特性iZ/mAuZ/VO?UZ?IZmin?IZmax?UZ?IZ?IZ符号特性工作条件：反向击穿2、使用稳压管的注意事项（2）稳压管工作时的电流应在IZ和IZM之间。电路中必须串接限流电阻。（3）稳压管可以串联使用，串联后的稳压值为各管稳压值之和，但不能并