北大集成电路版图设计课件_第6章 二极管与外围器件.pptVIP

第六章二极管与外围器件**一.二极管二极管的作用就是开关，电流的开关。把电流用水流比喻的话，阳极是上流，阴极是下流，水可以从上流流至下流，但从下流不能流至上流，这就是二极管的单向导通。一.二极管PN结是二极管的核心部分，在PN结的P区和N区分别加上电极就构成了二极管。芯片内部有很多PN结。例如：N阱CMOS集成电路中的N阱和P型衬底构成芯片中最大的PN结，NMOS管的源漏与衬底形成两个PN结，这些PN结的反偏是电路正常工作的基础。二极管的主要作用是保证电流的单向导通，即电流只能从一个方向通过二极管（P区流向N区），因此可做器件之间的隔离。在MOS集成电路中，二极管除了作为一般电路使用外，还经常作为静电放电（ElectrostaticDischarge,ESD）保护使用，ESD保护可以防止电压击穿损坏芯片。为了尽可能多地泄放流入或流出二极管的能量（电流），二极管的面积不能太小，因为流过二极管的电流和面积成正比。一.二极管在标准的CMOS集成电路工艺中，二极管主要分为两种：一是衬底上的二极管（简称为衬底二极管），二是阱中的二极管（简称为阱二极管）。所谓衬底二极管就是在衬底上直接制作二极管，在CMOS工艺中，衬底二极管是免费制作的，不需要额外增加工艺步骤；而阱二极管就是把二极管制作在阱中。一.二极管(a)P型衬底上的二极管PN+P+一.二极管为了增加电流通路，尽可能多地泄放流入或流出二级管的电流，可以把二极管设计成环状结构。图环状结构衬底二极管示意图一.二极管图环状结构阱二极管示意图一.二极管环形结构可确保各个方向都存在电流通路，从而增加电流的泄放量。图6.4环状结构阱二极管的电流一.二极管衬底二极管与阱二极管制作的方法不同，二者的作用也不相同。以CMOSP型衬底N阱工艺为例，由于P型衬底必须接电路的最低电位，才能保证整个芯片上电路的正常工作，衬底二极管只能应用于ESD保护中输入到负电源的保护通路。而阱二极管制作在N阱里，对于N阱工艺，N阱可以接最高电位，也可不接最高电位。如果接最高电位，将形成ESD保护中的输入到正电源的保护通路。如果不接最高电位，则可将其应用于一般电路中。一.二极管静电放电ESD：当一高电势的带电体接触到电路的外引脚时，就可能发生放电现象。电过应力：指对器件施加过大电压或电流而引起的失效。危害：MOS管栅氧化层非常薄，如果栅极处于浮置状态，则静电感应产生的电荷无法很快地泄放掉，会导致栅极和衬底之间产生非常高的电场，如果该电场超过了栅氧化层的击穿电压，就会发生栅击穿而使MOS器件损坏。静电放电现象多发生于人体的手接触集成电路，人手等效于一个几百皮法的电容串联一个几千欧的电阻。根据环境不同，人体的等效电容的电压从几百伏到几千伏，当人手接触集成电路芯片时，就可能发生静电放电现象。避免方法：接触芯片前用手触摸金属导体；带静电防护手腕；用镊子拿取。一.二极管为了解决静电放电问题，必须为感应电荷提供泄放通路，在CMOS集成电路中常采用静电放电保护电路。下图为采用二极管和电阻组成静电放电保护电路。工作原理：当输入电压高于Vdd时，二极管D1导通，输入电压被箝位于Vdd+Vd（Vdd+0.7）；当输入电压低于Vss时，二极管D2导通，输入电压被箝位于-（Vss+Vd）。输入电压的范围从-（Vss+0.7）至（Vdd+0.7），安全电压。电阻R的作用：阻值不能太大，通常在几百欧姆至几K，起到限流作用，当有大电流流过时，避免两个二极管烧毁。一.二极管(b)版图采用二极管和电阻组成静电放电保护电路的版图。Sp-NwellDiode形成ESD保护中的输入到正电源的保护通路。Psub-NwellDiode形成ESD保护中的输入到负电源的保护通路。一.二极管另一种静电放电保护电路如图，栅源连接的MOS管等效于二极管，该电路无限流电阻。一.二极管版图：漏区面积很大，确保二极管流过较大的电流。一.二极管一.二极管一.二极管为了对集成电路进行全面保护，可以对芯片上的每一个输入、输出端口都进行ESD保护。一.二极管