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本发明公开了一种磁旋存储用钴铁硼靶材的制备方法，包括称取中间合金粉高能球磨活化、镀钴处理、真空预热压、热等静压热压烧结、背板焊接等步骤。该方法能够很好地制备出高致密的符合磁旋存储用的钴铁硼靶材，在较低温度下成型且提高了钴铁硼靶材的透磁率(PTF)；并且真空预热压过程中增加的粉料排气过程能够有效地防止内裂纹产生，整体有效降低了真空热压温度、降低了经济成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117431510A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311325482.3C22C19/07(2006.01)
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