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第二、三节功率晶体管与功率场效应晶体管认知
一、选择题
1.根据功率场效应晶体管的转移特性,当栅极电压U小于开启电压U时,功率场效应晶体管MOSFET处于(D)状态。
A.放大
B.击穿
C.截止
D.导通
2.GTR的半导体分别是(C)。
A.引出集电极和基极
B.引出集电极和发射极
C.引出集电极﹑基极和发射极
D.基极和发射极
3.PN结是(B)。
A.集电结
B.集电结和发射结
C.集电结或发射结
D.发射结
4.GTR的基本工作原理与普通的双极结型晶体管是(D)。
A.不—样的
B.—样的
C.差不多
D.以上都不是
5.GTR的集电极和发射极施加正向电压后,基极正偏(ib
A.通过
B.导通
C.断开
D.休息
6.GTR的集电极和发射极施加正向电压后,反偏(ib
A.休息
B.稳定
C.导通
D.截止
7.给GTR的基极施加幅值足够大的脉冲驱动信号,它将工作于(C)的开关状态。
A.导通
B.截止
C.导通或截止
D.导通和截止
8.GTR工作在开关状态,即工作在(A)。
A.截止区或饱和区
B.截止区和未饱和区
C.截止区
D.饱和区
9.当BE结合CB结均正偏时,(C)。
A.功率晶体管处于缩小模式
B.功率晶体管处于截止模式
C.功率晶体管处于饱和模式
D.功率晶体管处于放大模式
10.当BE结零偏或反偏、CB结反偏时,(B)。
A.功率晶体管处于缩小模式
B.功率晶体管处于截止模式
C.功率晶体管处于饱和模式
D.功率晶体管处于放大模式
11.目前常用的GTR器件有(B)。
A.单管和模块
B.单管、达林顿管和模块
C.达林顿管和模块
D.单管和达林顿管
12.(C)扩散台面型NPN结构是单管GTR的典型结构。
A.一重
B.二重
C.三重
D.四重
13.GTR开关过程有(D)。
A.开通过程、导通状态
B.关断过程、阻断状态、导通状态
C.开通过程、导通状态、阻断状态
D.开通过程、导通状态、关断过程、阻断状态
14.由于GTR在导通和关断过程中都要经过放大区,因此应尽可能缩短开关时间,(B)开关损耗。
A.增大
B.减小
C.不影响
D.影响
15.如果(A)中由一项或多项阻值无穷大或为0,则晶闸管是坏的。
A.Rak、Rka、Rgk、Rkg
B.Rak、Rka、Rgk
C.Rak、Rka、Rkg
D.Rak、Rgk、Rkg
16.功率场效应晶体管称为(A)。
A.电力场效应晶体管或电力场控晶体管
B.电力场效应晶体管
C.电力场控晶体管
D.电力场效应晶体管或电力场晶体管
17.功率场效应晶体管具有(B)等特点。
A.驱动功率小、开关速度高、安全工作区宽
B.驱动功率小、开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽
C.驱动功率小、开关速度高、无二次击穿
D.驱动功率小、无二次击穿、安全工作区宽
18.MOSFET种类和结构较多,按导电沟道可分为(C)。
A.P沟道和S沟道
B.S沟道和N沟道
C.P沟道和N沟道
D.P沟道和T沟道
19.在功率MOSFET中,应用较多的是(C)沟道增强型。
A.S
B.P
C.N
D.T
20.功率MOSFET导电机理与小功率MOS管(B),但在结构上有较大区别。
A.不相同
B.相同
C.差不多
D.以上说法都不对
21.功率MOSFET又称(A)。
A.VMOSFET
B.VMOSFEC
C.VMOSFEP
D.VMOSFEU
22.功率MOSFET引出的电极有(D)。
A.栅极G和源极S
B.漏极D和源极S
C.栅极G和漏极D
D.栅G、漏极D和源极S
23.当栅源极间电压为零时,若漏源极间加(B)电源,P基区与N区之间形成的PN结反偏。
A.负
B.正
C.阴
D.以上都不对
24.若在栅源极间加(B)电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。。
A.负
B.正
C.阴
D.阳
25.晶闸管静态特性指是指晶闸管器件端(A)的关系。。
A.电压与电流
B.电压或电流
C.电压
D.电流
26.转移特性表示漏极电流ID与栅源之间电压UGS的(C)。
A.阳极伏安特性
B.门极伏安特性
C.转移特性关系曲线
D.以上都不对
27.转移特性可表示出器件的(B)能力,并且是与GTR中的电流增益β相似。
A.缩小
B.放大
C.改变
D.减小
28.功率场效应管的开通时间为(C)。
A.ton=td(on)*tr
B.ton=td(on)-tr
C.ton=td(on)十tr
D.ton=td(on)/tr
29.功率场效应管的关断时间(C)。
A.toff=td(off)*tf
B.toff=td(off)-tf
C.toff=
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