《新能源汽车电力电子技术》 习题及答案 第二章 第四节 绝缘栅双极型晶体管认知（有答案）.docx

第四节绝缘栅双极型晶体管认知

一、选择题

1.三极管具有放大(B)作用。

A.电压

B.电流

C.功率

D.电位

2.三极管工作于放大区时，其外部条件是(B)。

A.发射结正偏，集电缜正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

3.三极管工作于放大区时，集电极电流IC受（D）控制，与VBE几乎无关。

A.RB

B.VCE

C.RC

D.IB

某单管共射放大电路在处于放大状态时，电位分别是UB=8.3V,UE=9V,UC=2V,则此三极管一定是（A）。

A.PNP硅管

B.NPN硅管

C.PNP锗管

D.NPN锗管

5.测得三极管IB1=30μA时，IC1=2.4mA;IB2=40μA时，IC2=3mA，则该管的交流电流放大系数为（B）。

A.80

B.60

C.75

D.100

6.晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（C）。

A.iC

B.UCE

C.iB

D.iE

7.某NPN型三极管VB=4.7V,?VC=4.3V，VE=4V,此三极管处于（A）状态?

A.饱和

B.放大

C.截止

D.以上都不对

8.某NPN型三极管VB=2.7V,VC=10V,VE=2.0V,此三极管处于（B）状态?

A.饱和

B.放大

C.截止

D.以上都不对

9.某NPN型三极管VB=1.3V,VC=5V,VE=1.6V,此三极管处于（C）状态?

A.饱和

B.放大

C.截止

D.以上都不对

10.如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（B）。?

A.均为正偏

B.均为反偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

11.NNP型三极管实现放大作用时，三极电位之间的关系是（B）。?

A.VEVBVC

B.VEVBVC

C.VBVCVE

D.VBVCVE

12.某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于（A）。

A.0.98mA

B.1.02mA

C.0.8mA

D.1.2mA

13.对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为UB=2.7V,UE=2V,UC=9V,则该管工作在（A）。

A.放大区

B.饱和区

C.截止

D.无法确定

三极管的电流分配规律是（B）。

A.IB=IEIC

B.IE=IB+IC?

C.IC=IB+IE??

D.IE=IBIC

15.NPN型三极管和PNP型三极管的区别是（C）。

A.由两种不同材料硅和锗制成

B.掺入的杂质元素不同

C.P区和N区的位置不同

D.以上都对

16.PNP型三极管实现放大作用时，三极电位之间的关系是（A）。?

A.VEVBVC

B.VEVBVC

C.VBVCVE

D.VBVCVE

17.用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则（B）。

A.1为e?2为b?3为c

B.1为e?3为b?2为c

C.2为e?1为b?3为c

D.3为e1为b2为c

18.三极管工作于饱和区时，其外部条件是（A）。

A.发射结正偏，集电缜正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

19.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从1mA变为2mA,那么它的β约为（C）。

A.83

B.91

C.100

D.120

当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。

A.前者反偏、后者也反偏

B.前者正偏、后者反偏

C.前者正偏、后者也正偏

D.前者反偏、后者正偏

21.某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是UA=2.3V,UB=3V,UC=0V,则此三极管一定是（A）。

A.PNP硅管

B.NPN硅管

C.PNP锗管

D.NPN锗管

22.某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是UA=2.3V,UB=2V,UC=12V,则此三极管一-定是（D）。

A.PNP硅管

B.NPN硅管

C.PNP锗管

D.NPN锗管

23.绝缘栅双极性晶体管简称（B）。

A.MOSFET

B.IGBT

C.GTR

D.GTO

24.缘栅双极性晶体管内部为（D）层结构。

A.一

B.二

C.三

D.四

25.缘栅双极性晶体管的输入极为（B）。

A.PNP

B.MOSFET

C.NPN

D.MOSTED

26.缘栅双极性晶体管的输出极为（A）。

A.PNP

B.MOSFET

C.NPN

D.MOSTED

27.IGBT是特性是（D）。

A.输出饱和压降低

B.输入阻抗高