第2节功率晶体管认知
一、选择题
1.功率场效应晶体管的全程是功率金属氧化物半导体场效应晶体管,简称功率(B)。
A.MOSFES
B.MOSFET
C.MOSFEU
D.MOSFED
2.功率晶体管的特性是(B)。
A.和普通晶体管一样的功率
B.耐压高、电流大、开关特性好
C.和GTO一样的特性
D.反向耐压非常高
3.功率晶体管是(B)。
A.电压驱动型
B.电流驱动型
C.功率驱动型
D.电容驱动型
4.功率晶体管的英文简称是(C)。
A.GTS
B.GTP
C.GTR
D.GTU
5.GTR的基本工作原理是(C)。
A.是用电流ib控制集电极电流i
B.是用基极电流ib控制集电流i
C.是用基极电流ib控制集电极电流i
D.是用基极电流ib控制集电极电流i
6.β称为电流(A)系数,它反映了基极电流对集电极电流的控制能力。
A.放大
B.缩小
C.普通
D.以上都不对
7.在共发射极接法时的典型输出特性有(C)。
A.截止区和饱和区
B.放大区和饱和区
C.截止区、放大区和饱和区
D.截止区和放大区
8.功率晶体管的特性有(D)。
A.通态特性
B.开关特性
C.二次击穿特性
D.以上都是
9.功率晶体管的主要应用(D)。
A.作为放大器
B.作为大功率半导体开关
C.GTR模块
D.以上都是
10.功率晶体管的工作模式正确的是(B)。
A.当BE结反偏、CB结正偏,功率晶体管处于放大模式
B.当BE结正偏、CB结反偏,功率晶体管处于放大模式
C.当BE结正偏、CB结反偏,功率晶体管处于饱和模式
D.当BE结正偏、CB结反偏,功率晶体管处于截止模式
11功率晶体管的放大作用表现有(C)。
A.用较小的基极电流可以控制较大的集电极电流
B.将较小的功率按比例放大的功率
C.A、B均是
D.A、B均不是
12.功率晶体管的主要参数(D)。
A.额定电压
B.电流定额
C.开关时间
D.以上都是
13.功率晶体管是(B)。
A.单极性大功率器件
B.双极性大功率器件
C.GTV
D.GTP
14.对于功率晶体管测试说法错误的是(C)。
A.使用万用表测试晶闸管阳极A和阴极K之间的正反电阻值,并记录为Rak和Rka
B.断开电路,将负载电阻R2改为10千欧姆
C.万用表使用Rx20或Rx100千欧档测量控制极G和阴极K之前的正反电阻值
D.根据测试的电阻值判断晶体管的好坏
15.万用表使用(B)千欧档测量控制极G和阴极K之前的正反电阻值。
A.Rx10和Rx100
B.Rx10或Rx100
C.Rx10
D.Rx100
16.对于功率晶体管β测试说法错误的是(D)。
A.将万用表拨到hef挡
B.将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的插孔中
C.从万用表显示屏读出该管的电流放大系数β
D.以上都不对
17.当栅极电压为(D)时漏源极间存在导电沟道的称为耗尽型。
A.3
B.2
C.1
D.零
18.对于N沟道器件,栅极电压(B)零时才存在导电沟道的称为增强型。
A.小于
B.大于
C.等于
D.不等于
19.对于P沟道器件,栅极电压(A)零时才存在导电沟道的称为增强型。
A.小于
B.大于
C.等于
D.不等于
20.小功率MOS管是一次扩散形成的器件,其导电沟道(C)于芯片表面,是横向导电器件。。
A.斜交
B.垂直
C.平行
D.存在
21.功率MOSFET大都采用(B)导电结构。
A.斜交
B.垂直
C.平行
D.存在
22.垂直导电结构能大大提高器件的(C)。
A.耐压
B.通流能力
C.耐压和通流能力
D.耐压或通流能力
23.只有当(C)时才会出现导电沟道。
A.UGSUT
B.UGSUT
C.UGS=UT
D.UGS≠UT
24.漏极击穿电压BUD。BUD是不使器件击穿的极限参数,它(B)漏极电压额定值。
A.小于
B.大于
C.等于
D.不等于
25.输出特性分为(C)。
A.饱和与非饱和
B.截止与非饱和
C.截止、饱和与非饱和
D.截止与饱和
26.(A)是指漏极电流ID不随漏源电压UGS的增加而增加,也就是基本保持不变。
A.饱和
B.非饱和
C.输出特性
D.以上均不对
27.(B)是指漏极电流ID随UGS增加呈线性关系变化。
A.饱和
B.非饱和
C.输出特性
D.以上均不对
28.动态特性主要描述(C)之间的时间关系,它影响器件的开关过程。
A.输入量与变化量
B.变化量与输出量
C.输入量与输出量
D.以上均不对
29.对于功率晶体管的检测说法错误的是(B)。
A.取出数字万用表和晶体管
B.打开万用表,选择HET档,进行测量
C.将晶体管C,B,E三个引脚分别插入万
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