一种氮化镓高电子迁移率晶体管器件以及制备方法.pdfVIP

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2024-01-24 发布于四川
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一种氮化镓高电子迁移率晶体管器件以及制备方法.pdf

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本发明提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管器件以及制备方法。该器件包括：衬底；缓冲层，缓冲层位于衬底的表面；沟道层，沟道层位于缓冲层远离衬底的表面；势垒层，势垒层位于沟道层远离缓冲层的表面；P‑GaN层，P‑GaN层位于势垒层远离沟道层的表面；非极性绝缘层，非极性绝缘层覆盖P‑GaN层的侧壁；栅极，栅极位于P‑GaN层远离势垒层的表面；源极，源极位于势垒层远离沟道层的表面；漏极，漏极位于势垒层远离沟道层的表面。本发明实施例提供的技术方案，避免了P‑GaN层侧壁引入负电缺陷，提高了P‑GaN层侧壁下

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117438455A

(43)申请公布日2024.01.23

(21)申请号202311407407.1

(22)申请日2023.10.27

(71)申请人英诺赛科（苏州）半导体有限公司

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