第6章半导体存储器.pptVIP

第六章半导体存储器半导体存储器是一种由半导体器件构成的能够存储数据、运算结果、操作指令的逻辑部件。主要用于计算机的内存储器。本章对其特点、分类、技术指标予以简单介绍，并介绍基本存储单元的组成原理，集成半导体存储器的工作原理及功能。半导体存储器的特点及分类按制造工艺不同:可把存储器分成TTL型和MOS型存储器两大类。TTL型速度快，常用作计算机的高速缓冲存储器。MOS型具有工艺简单、集成度高、功耗低、成本低等特点，常用作计算机的大容量内存储器。按存储二值信号的原理不同:存储器又分为静态存储器和动态存储器两种。静态存储器是以触发器为基本单元来存储0和1的，在不失电的情况下，触发器状态不会改变；而动态存储器是用电容存储电荷的效应来存储二值信号的。电容漏电会导致信息丢失，因此要求定时对电容进行充电或放电。按工作特点不同：半导体存储器分成只读存储器、随机存取存储器和顺序存取存储器。半导体存储器的技术指标存取容量：表示存储器存放二进制信息的多少。二值信息以字的形式出现。一个字包含若干位。一个字的位数称做字长。例如，16位构成一个字，那么该字的字长为16位。一个存储单元只能存放一个一位二值代码，即只能存一个0或者一个1。这样，要存储字长为16的一个字，就需要16个存储单元。若存储器能够存储1024个字，就得有1024×16个存储单元。通常，用存储器的存储单元个数表示存储器的存储容量，即存储容量表示存储器存放二进制信息的多少。存储容量应表示为字数乘以位数。例如，某存储器能存储1024个字，每个字4位，那它的存储容量就为1024×4=4096，即该存储器有4096个存储单元。存储器写入（存）或者读出（取）时，每次只能写入或读出一个字。若字长为8位，每次必须选中8个存储单元。选中哪些存储单元，由地址译码器的输出来决定。即由地址码来决定。地址码的位数n与字数之间存在2n=字数的关系。如果某存储器有十个地址输入端，那它就能存210=1024个字。半导体存储器的技术指标存取周期：存储器的性能取决于存储器的存取速率。存储器的存取速度用存取周期或读写周期来表征。把连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。只读存储器半导体只读存储器(Read-onlyMemory,简称ROM)是存储固定信息的存储器。其特点是电路结构简单，电路形式和规格比较统一，在操作过程中只能读出信息不能写入。通常用其存放固定的数据和程序，如计算机系统的引导程序、监控程序、函数表、字符等。只读存储器为非易失性存储器，去掉电源，所存信息不会丢失。分类ROM按存储内容的写入方式，可分为固定ROM可编程序只读存储器(ProgrammableReadOnlyMemory，简称PROM)可擦出可编程序只读存储器(ErasableProgrammableReadOnlyMemory，简称EPROM)。固定只读存储器ROM固定ROM，在制造时根据特定的要求做成固定的存储内容，出厂后，用户无法更改，只能读出。有TTL型和MOS型ROM两种。ROM由地址译码器、存储矩阵、输出和控制电路组成，如图6-1所示。可编程只读存储器(PROM)PROM的存储内容可以由使用者编制写入，但只能写入一次，一经写入就不能再更改。PROM和ROM的区别在于ROM由厂家编程，而PROM由用户编程。出厂时PROM的内容全是1或全是0，使用时，用户可以根据需要编好代码，写入PROM中。图6-4为一种PROM的结构图，存储矩阵的存储单元由双极型三极管和熔断丝组成。存储容量为32×8位，存储矩阵是32行×8列，出厂时每个发射极的熔断丝都是连通的，这种电路存储内容全部为0。如果想使某单元改写为1，需要使熔断丝通过大电流，使它烧断。一经烧断，再不能恢复。可擦可编程只读存储器(EPROM)PROM只能写一次的原因是熔断丝断了，不能再接通。EPROM的存储内容可以改变，但EPROM所存内容的擦去或改写，需要专门的擦抹器和编程器实现。在工作时，也只能读出。可擦可编程只读存储器(EPROM)可擦除可编程存储器又可以分为：光可擦除可编程存储器UVEPROM(Ultra—VioletErasableProgrammableRead－OnlyMemory)电可擦除可编程存储器E2PROM(ElectricalErasableProgrammableRead－OnlyMemory)快闪存储器(FlashMemory)等。1．光可擦除可编程存储器EPROM光可擦除可编程存储器EPROM(通常简称EPROM)是采用浮栅技术生产的可编程存储器，它的存储单元多采用N沟道叠栅MOS管(Stacked－gat