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等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法.pdfVIP

等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法.pdf

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    一种等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法，涉及半导体刻蚀技术领域，解决的技术问题为“开发一种实时监测等离子体放电状态的装置，并对其空间不均匀性进行评估校准”，装置包括：腔室、第一成像监测模块和第二成像监测模块，所述第二成像监测模块与所述第一成像监测模块的轴线垂直；方法包括：通过所述等离子体腔室阵列成像监测装置采集积分光强；基于所述积分光强计算腔室内视线交点光强；通过所述视线交点光强与所述先验分布拟合求解最优分布系数，得到等离子体二维空间分布；评估所述等离子体二维空间分布的不均匀性并

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117457467A

    (43)申请公布日2024.01.26

    (21)申请号202311743459.6

    (22)申请日2023.12.19

    (71)申请人哈尔滨工业大学

    地址15000

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