IGBT器件双脉冲测试方法、装置、设备和存储介质.pdfVIP

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2024-01-27 发布于四川
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本发明涉及IGBT参数测试技术领域，尤其涉及IGBT器件双脉冲测试方法、装置、设备和存储介质，测试方法包括以下步骤：获取待测功率器件在测试设备中通过测试软件设置的测试条件参数；基于测试条件参数对待测功率器件进行三次开通测试，从三次开通测试中获取测试信号时生成的开通双脉冲波形，计算得到开通损耗Eon；进行三次关断测试，从三次关断测试中获取测试信号时生成的关断双脉冲波形，计算得到关断损耗Eoff；基于测试条件参数对待测功率器件进行两次FRD测试，从两次FRD测试中获取测试信号时生成的FRD测试波形，

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117452174A

(43)申请公布日2024.01.26

(21)申请号202311576051.4

(22)申请日2023.11.23

(71)申请人重庆云潼车芯电子科技有限公司

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