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异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管.pdfVIP

异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管.pdf

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    本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管，该方法包括：在从下到上依次为基区外延层、发射区InP层和发射区帽层的晶圆上表面溅射金属层和淀积介质层；对介质层和金属层刻蚀，对发射区帽层腐蚀；刻蚀后的金属层构成发射区电极；淀积隔离介质层；去除介质层和介质层外表面的隔离介质层；对目标隔离介质层刻蚀，对发射区InP层腐蚀；腐蚀后的发射区InP层和发射区帽层构成发射区台面；在基区外延层上表面制备基区电极。本申请能够减小发射区台面的横向腐蚀距离，减小基区电极与发射

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117457492A

    (43)申请公布日2024.01.26

    (21)申请号202311129266.1

    (22)申请日2023.09.04

    (71)申请人中国电子科技集团

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