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深紫外AlGaN材料的生长与物性研究的开题报告

一、研究背景及意义

深紫外光源广泛应用于空气与水质检测、半导体光刻、生物芯片检测等领域，为实现高效、精准、低成本的应用需求，需要能够提供高质量、高稳定性、长寿命的深紫外LED光源。目前，深紫外光源主要依赖于GaN基材料，但传统GaN材料的光电转换效率受限于短波长下光子的吸收和重复堆垛缺陷的影响，无法满足深紫外光源的需求。AlGaN是一种优良的深紫外LED材料，具有宽带隙、高热稳定性、良好的光学和电学性质等优点，而且在压力及温度极端环境下也能工作，因此被认为是制备深紫外LED的有力选择。本研究旨在通过对AlGaN材料的生长和物性研究，探究其适用于深紫外LED的优异性能。

二、研究内容

1.AlGaN材料的生长：文献综述，了解AlGaN材料的生长机理、常用的生长方法，并选择合适的生长方法和条件。

2.材料结构和化学成分的表征：采用X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM），能量色散光谱（EDS）等技术对样品进行表征。

3.光学性能的表征：采用紫外可见（UV-Vis）光谱对样品进行吸光度谱、荧光光谱等表征。

4.电学性能的研究：测量AlGaN材料的导电性、载流子浓度等。

三、研究方法

本研究采用金属有机气相沉积（MOCVD）法生长AlGaN材料，在生长过程中调控气氛、温度、压强等工艺参数以获得优良的结晶和薄膜质量。通过SEM、XRD和EDS等分析手段，探究材料的结构、形貌和元素分布；采用UV-Vis光谱技术测量其吸光度谱、荧光光谱；利用霍尔效应和暗电导测量AlGaN材料的导电性和载流子浓度。

四、研究计划及进度安排

2019年10月-2020年3月：文献综述、样品制备、生长实验。

2020年4月-2020年8月：样品表征（XRD、SEM、EDS、UV-Vis光谱等）、数据处理、论文撰写。

2020年9月-2020年12月：实验数据分析、修稿。

五、研究预期成果

本研究将通过MOCVD法生长和表征AlGaN材料，探究其物性和特性，为深紫外LED制造提供参考依据和理论基础。预期研究结果包括：（1）AlGaN材料的生长方法和条件；（2）AlGaN材料的结构、形貌和元素分布；（3）AlGaN材料的光学和电学性质；（4）基于AlGaN的深紫外LED制造中的研究应用。