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                NP4826SR
60VDualN-ChannelEnhancementModeMOSFET
DescriptionSchematicdiagram
TheNP4826SRusesadvancedtrenchtechnologytoD1D2
司
provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.
公
ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPS
限G1G2
andgeneralpurposeapplications.
有
GeneralFeatures司
技
S1S2
VDS=60V,ID=6A公
科
RDS(ON)=19mΩ(typical)@VGS=10V限
丰Markingandpinassignment
RDS(ON)=22mΩ(typical)@VGS=4.5V
锐有SOP-8
ExcellentgatechargexRDS(ON)product(FOM)司
恒技(TOPVIEW)
Verylowon-resistanceRDS(ON)公
市科
150°Coperatingtemperature限
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