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本申请涉及电容库创建方法，包括：确定与模型结构对应的模型采样参数，模型结构包括位于第一金属层上的第一导体、位于第二金属层上的第二导体、以及位于第一金属层与第二金属层之间的至少一个介质层，模型采样参数用于指示模型结构的结构信息；基于模型采样参数，获取模型结构的至少一个采样结构；基于至少一个采样结构，以及至少一个采样结构下第一导体与第二导体之间的侧壁电容值和/或面电容值和/或耦合电容值创建电容库。本申请的电容库创建方法、电容获取方法、电子设备及存储介质能提高侧壁电容和/或面电容和/或耦合电容等的求解
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117473933A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311796479.X
(22)申请日2023.12.25
(71)申请人杭州行芯科技有限公司
地址31
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