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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底；栅极结构，栅极结构位于基底的部分表面上，栅极结构包括依次层叠的栅介质层、栅导电层以及栅盖帽层，栅盖帽层具有凹槽；第一间隔层以及第二间隔层，第一间隔层位于栅极结构的侧壁，第二间隔层位于第一间隔层的侧面；保护层，保护层共形覆盖基底的部分表面、第二间隔层的表面以及栅盖帽层的顶面；保护层还共形覆盖凹槽的内壁面，位于凹槽底部的保护层的顶面不高于第二间隔层的顶面；介质层，介质层覆盖保护层的表面。本公开实施例提供的半导体结构及其
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117500271A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202410004829.2
(22)申请日2024.01.03
(71)申请人长鑫新桥存储技术有限公司
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