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一种半导体装置,包含:由第一导电型的碳化硅形成的基板、以第一导电型的碳化硅形成的外延层、以第二导电型的碳化硅形成的多个基区、以第一导电型的碳化硅形成的多个源区、以第二导电型的碳化硅形成的多个基区接触区、分别与相邻的所述基区的对应的所述源区连接的多个栅极绝缘层、分别形成于多个所述栅极绝缘层上的多个栅电极层、分别位于多个所述基区上并横跨所述源区与所述基区接触区的多个源电极层、形成于所述基板的漏电极层,及于俯视时,位于所述外延层且有所述错位缺陷的区域,且至少形成于所述基区接触区的表层的离子注入层。借此
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117497561A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202310935527.2
(22)申请日2023.07.27
(30)优先权数据
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