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1.IGBT的开启电压UGE（th）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET。
2.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电
力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的
是晶闸管，属于全控型器件的是GTOGTR电力MOSFETIGBT；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET，属于双极
型器件的有电力二极管晶闸管GTOGTR，属于复合型电力电子器件得有IGBT_；在可控的器件中，容量最大的是_
晶闸管_，工作频率最高的是电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT，属于电流驱动的是晶闸管、GTO、
GTR。
3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控
O
整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180_，其承受的最大正反向电
U
压均为_2U__，续流二极管承受的最大反向电压为__2U_（设为相电压有效值）。
2
22
O
4.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为0-180，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电
压分别为和2U；带阻感负载时，α角移相范围为0-90O，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别
2U2
22
为2U和2U；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗
器。22
5.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=π-α-;当控制角小
于不导电角时，晶闸管的导通角=π-2。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于2U2，晶闸管控制角α的最大移相
o(U2为相电压有效值)。
范围是0-150，使负载电流连续的条件为30o
7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最高的相电压，而共阳极组中处
o
于导通的晶闸管对应的是最低的相电压；这种电路角的移相范围是0-120，u波形连续的条件是α≤60°。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值下降_
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