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本发明公开一种平面结构有机/无机复合钙钛矿忆阻器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上依次为基板、模板层、阻变层、电极。步骤为：首先，在基板上制备一层模板层，其次在模板层上采用溶液旋涂法制备一层有机/无机复合钙钛矿阻变层，最后在阻变层上采用真空沉积的方法制备电极。该方法利用模板层调控阻变层的化学成分分布，在阻变层的上表面产生过量的阴离子，在电场作用下通过调控阴离子的移动实现忆阻器高低电阻态间的转变。本发明工艺简单，成本低廉，具有广阔的应用前景。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113540346A
(43)申请公布日2021.10.22
(21)申请号202110816697.X
(22)申请日2021.07.20
(71)申请人泉州师范学院
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