一种集成SBD二极管的MOSFET及其制备方法.pdfVIP

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2024-02-07 发布于四川
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一种集成SBD二极管的MOSFET及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种集成SBD二极管的MOSFET及其制备方法，集成SBD二极管的MOSFET包括漂移区、衬底、漏极金属层，其中漂移区包括位于衬底上方的第一延伸部和位于漏极金属层上方的第二延伸部，第一延伸部与衬底邻接，第二延伸部与漏极金属层邻接；衬底位于第一延伸部和漏极金属层之间，衬底分别与漏极金属层、第二延伸部邻接；漏极金属层与第二延伸部形成肖特基接触。本发明提供的集成SBD二极管的MOSFET通过漏极金属层与第二延伸部形成肖特基接触，即形成了较低的空穴势垒高度的肖特基势垒，加速了空穴的抽取，降低

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117525155A

(43)申请公布日2024.02.06

(21)申请号202410019731.4

(22)申请日2024.01.05

(71)申请人深圳天狼芯半导体有限公司

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