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一种超辐射发光二极管制备方法.pdfVIP

一种超辐射发光二极管制备方法.pdf

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    本申请公开了一种超辐射发光二极管制备方法，属于无线光通信技术领域，该方法包括：将待研磨的激光器芯片固定在研磨机的夹具上；对夹具上的激光器芯片进行研磨，使激光器芯片的波导达到目标参数，得到超辐射发光二极管；目标参数包括目标腔长度、目标腔面粗糙度或者目标腔面倾斜角度中的至少一项。本申请可免除超辐射发光二极管的重新设计和光刻板的投入成本，仅通过上述简单、可重复性强、灵活性强的流程便可将量产的标准激光器芯片制备成可定制化波导腔长、腔面倾斜角和粗糙度的超辐射发光二极管。减少了超辐射发光二极管的波导设计、工

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117525221A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202311542696.6

    (22)申请日2023.11.17

    (71)申请人复旦大学

    地址200433

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