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本实用新型公开了一种晶圆级芯片的扇出型封装结构，属于半导体封装技术领域。其硅基本体(101)的芯片电极(102)上设置多层塔状的金属阶梯微凸台，所述硅基本体(101)的外围设置若干个金属阶梯柱I和金属阶梯柱II，所述金属层(120)设置于硅基本体(101)的下方，并延展至金属阶梯柱I的下方并通过金属阶梯柱I底部(711)与金属阶梯柱I固连，所述塑封层(301)上设置再布线金属层。本实用新型采用具有下大上小结构的金属阶梯微凸台、金属阶梯柱I和金属阶梯柱II，扩大了介电材料与包覆材料的结合面积，形成
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220456416U
(45)授权公告日2024.02.06
(21)申请号202321898952.0
(22)申请日2023.07.19
(73)专利权人浙江禾芯集成电
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