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2024-02-07 发布于四川
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一种发光二极管及发光装置.pdf

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本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，其包括衬底、外延结构和布拉格反射层；布拉格反射层包括重复交替堆叠布置的第一膜堆和第二膜堆；第一膜堆和第二膜堆均包括具有第一折射率的第一材料层和具有第二折射率的第二材料层，且第一材料层与第二材料层重复交替堆叠，第一折射率低于第二折射率；在第一膜堆中，第一材料层的光学厚度大于第二材料层的光学厚度；在第二膜堆中，第一材料层的光学厚度小于第二材料层的光学厚度。通过上述设置，可以极大地提升发光二极管中布拉格反射层结构整体的反射率，改善发光二极

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117525243A

(43)申请公布日2024.02.06

(21)申请号202311435014.1

(22)申请日2023.10.31

(71)申请人厦门三安光电有限公司

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