半导体结构和制造半导体结构的方法.pdfVIP

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2024-02-07 发布于四川
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半导体结构和制造半导体结构的方法.pdf

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本公开涉及半导体结构和制造半导体结构的方法。本发明在一个示例中提供了一种半导体结构，该半导体结构包括具有第一导电类型和第一侧的半导体材料区域。第二导电类型的掺杂区域以第一深度位于该半导体材料区域内。半导体器件位于该半导体材料区域的第一部分中，并且包括该第二导电类型的第一载流区域、和第二载流区域。PN二极管位于该半导体材料区域的第二部分中，并且包括阴极区域和阳极区域。该阴极区域耦接到该第一载流区域，该阳极区域耦接到该掺杂区域，并且该掺杂区域被配置为响应于施加到该半导体的正向偏置而将该半导体器件与该

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117525134A

(43)申请公布日2024.02.06

(21)申请号202310957473.X

(22)申请日2023.08.01

(30)优先权数据

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