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本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，方法包括：提供衬底，衬底内具有多个间隔排布的有源区，有源区包括源极区以及漏极区；于衬底上形成多个间隔排布的位线结构；刻蚀衬底，以形成沿第一方向延伸的接触槽，接触槽暴露出漏极区；于接触槽内及相邻位线结构之间形成接触材料层，接触材料层填满接触槽及相邻位线结构之间的间隙；接触材料层的顶表面与位线结构的顶表面齐平，且至少位于接触槽区域的接触材料层内无空洞，接触槽区域为接触槽和位于接触槽的正上方的区域；刻蚀接触材料层，以于接触材料层内形成多个间隔排布的隔离槽；于隔离槽
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117529097A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311829728.0
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人长鑫集电（北京）存储技术有限公司
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