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本发明公开了一种适用于大尺寸屏幕的氧化物TFT结构的制作方法，涉及TFT器件技术领域。所述方法包括：在玻璃基板上依次形成栅极金属层GE、栅极绝缘层GI以及有源层SE；在每一TFT器件的有源层SE的上方形成绝缘层PV，并蚀刻出两个PV通孔；图案化形成ITO导电层，并通过两PV通孔分别与有源层SE搭接；图案化形成源漏极金属层SD，且源极S和漏极D分别与一ITO搭接；形成绝缘层CH，并在源极S上方蚀刻出CH通孔；图案化形成像素电极PE，并通过CH通孔与源极S搭接，完成TFT结构的制作。本发明通过绝缘层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524884A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311464439.5
(22)申请日2023.11.06
(71)申请人华映科技（集团）股份有限公司
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