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本申请案的实施例涉及用于将半导体装置熔融接合到临时载体晶片的方法和由其形成的半导体装置组合件。提供制造半导体装置组合件的方法。所述方法可包括:提供在第一表面处具有第一电介质材料的第一半导体装置;提供在第二表面处具有第二电介质材料的载体晶片;以及在所述第一电介质材料与所述第二电介质材料之间形成电介质‑电介质接合。所述第一表面和所述第二表面中的至少一个包含疏水材料区域,所述疏水材料区域与所述第一半导体装置的任何电路系统电隔离且配置成具有相对于所述电介质‑电介质接合减小的与面对区域的接合强度。所述方法
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525045A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202310977415.3
(22)申请日2023.08.04
(30)优先权数据
17/882,3992022
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