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本发明涉及存储芯片技术领域,具体公开了一种编程校验电压设定方法、编程方法、装置、芯片及设备,其中,编程校验电压设定方法包括以下步骤:获取目标存储区域在执行擦除操作后的阈值电压;根据目标存储区域的初期阈值电压和上述阈值电压获取电压差值;根据电压差值和初期编程校验电压设定编程校验电压;该编程校验电压设定方法利用该阈值电压和初期阈值电压进行计算获取能单独表征隧穿氧化层的电子捕获能力的电压差值,再以该电压差值来调整设定编程校验电压,以准确判断存储单元的编程操作是否合格,避免编程后的存储单元出现放置一段时
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524284A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202410003711.8
(22)申请日2024.01.02
(71)申请人上海芯存天下电子科技有限公司
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