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本发明公开了一种钝化接触结构及其制备方法和应用，通过控制不同区域处于不同结构形态，交替设置隧穿氧化硅层和非晶硅层，进一步控制两层隧穿氧化硅层、两层非晶硅层之间在沉积时的厚度差，采用局域掩膜形成机制，可以通过蚀刻方法将非金属接触区域的隧穿层和非晶硅层全部去除，此时几乎不用考虑蚀刻速度和均匀性问题，当再次沉积第二隧穿氧化硅层、第二非晶硅层时，就实现了不同区域之间不同的结构形态，之后热处理将非晶硅层转变为多晶硅，该方法可控性强，容易操作，制成的钝化接触结构能够在表面复合、金属复合、界面接触电阻之间达成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542903A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311722997.7
(22)申请日2023.12.14
(71)申请人江苏林洋太阳能有限公司
地址2
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