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一种碳化硅栅极氧化层的制备方法及半导体结构.pdfVIP

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  • 2024-02-10 发布于四川
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一种碳化硅栅极氧化层的制备方法及半导体结构.pdf

    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种碳化硅栅极氧化层的制备方法及半导体结构。利用含NH3气体预先处理所述碳化硅衬底的缺陷，一方面，提前消除所述碳化硅衬底表面的硅悬挂键，降低所述碳化硅衬底表面的硅原子活性，从而有效抑制在后续制备栅氧层过程中，硅悬挂键与碳、氧元素形成浅能级缺陷；另一方面，有效抑制和钝化所述碳化硅衬底近表面的碳原子或碳团簇缺陷，弥补了后续N2O钝化时，由于氧化层阻隔达不到碳相关缺陷的位置，使得氮钝化所述碳化硅衬底更彻底，从而有效地降低所述碳化硅衬底的浅能级缺陷，大幅度提高碳化硅功率

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117542727A

    (43)申请公布日2024.02.09

    (21)申请号202311711519.6H01L21/336(2006.01)

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