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本发明公开了一种半导体晶片清洗方法和装置，通过清洗喷头用真空吸盘吸住晶片背面，使晶片高速旋转，依次通入冷却纯水，液氮，把晶片表面的污染物清洗干净。由于在整个清洗过程中都没有使用化学品，特别是过氧化氢等强氧化性物质，而且使用液氮，在遇到其沸点以上温度就会变成氮雾，把空气中的氧气及其他有机物排走，所以在整个清洗过程中，晶片表面都没有发生氧化层，清洗后的晶片表面氧化层可以达到小于0.3um，是化学品清洗工艺氧化层的20％左右，从而避免支撑柱与晶片边缘摩擦产生颗粒和晶片边缘也会出现凹凸不平，使得半导体晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542756A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311508999.6
(22)申请日2023.11.13
(71)申请人广东先导微电子科技有限公司
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