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本发明涉及适于发射第一辐射的发射器(25)，包括至少两个这种发射器的发射装置(15)，和用于制造其的方法。所述发射器(25)包括：‑基板(55)，‑由具有第一带隙值的第一半导体材料制成的台面(40)，所述台面具有上表面(70)和侧面(75)，‑覆盖层(45)，包括由第二半导体材料制成的至少一个辐射发射层(85)，所述第二半导体材料具有严格小于所述第一带隙值的第二带隙值，至少一个辐射发射层(85)具有对应于上表面(70)的第一部分(95)和对应于侧面(75)的第二部分(100)，针对第一部分(95
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111788691A
(43)申请公布日2020.10.16
(21)申请号201980011916.8(74)专利代理机构北京彩和律师事务所11688
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