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本公开涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，所述方法包括：提供衬底，于衬底上形成初始叠层结构，初始叠层结构包括沿第一方向依次交替叠置的第一介质层、目标半导体层，第一介质层与衬底相邻；于初始叠层结构内形成底面接触衬底的上表面的目标栅极沟槽，目标半导体层位于目标栅极沟槽内的部分裸露并悬空，目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁；于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117545271A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202210916700.X
(22)申请日2022.08.01
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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