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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

半导体器件及其形成方法.pdf

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    半导体器件包括第一管芯、第二管芯、第一再分布层(RDL)结构和连接件。RDL结构设置在第一管芯和第二管芯之间，并且电连接至第一管芯和第二管芯，并且包括第一聚合物层、第二聚合物层、第一导电图案和粘合促进剂层。粘合促进剂层位于第二聚合物层和第一导电图案之间并且与第二聚合物层和第一导电图案直接接触。连接件设置在第一聚合物层中，并且与第二管芯和第一导电图案直接接触。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117542836A

    (43)申请公布日2024.02.09

    (21)申请号202310991683.0H01L25/065(2023.01)

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