GB/T 12965-2018硅单晶切割片和研磨片.pdf

ICS29.045

H82

中华人民共和国国家标准

GB/T12965-2018

代替GB/T129652005

硅单晶切割片和研磨片

Monocrystallinesiliconascutwafersandlappedwafers

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局串舍

中国国家标准化管理委员会保叩

GB/T12965一2018

目。吕

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T12965-2005《硅单晶切割片和研磨片》，与GB/T12965-2005相比，除编辑性

修改外主要技术内容变化如下：

一一范围中将“本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子擅变掺杂硅单品经切割、双面研磨制备的圆

形硅片”改为“本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法（包括中子擅变掺杂和气相掺杂）制备的直

径不大于200mm的圆形硅单晶切割片和研磨片”（见第1章，2005年版的第1章）；

一一一规范性引用文件中删除了GB/T1552、GB/T1554、GB/T12964，增加了GB/T1551、

GB/T6619、GB/T26067、GB/T29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T28（见第2章，2005

年版的第2章）；

一一删除了具体术语内容，改为“GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件”（见第3章，2005

年版的第3章）；

一一删除了按照硅单晶生长方法进行的分类，增加了“硅片按表面取向分为常用的｛100｝、｛111｝、

{110｝三种”（见4.2.2,2005年版的4.1);

一一将“物理性能参数”和“晶体完整性”合并改为“理化性能”（见5.1,2005年版的5.1、5.3);

－一增加了“电学性能”（见5.2);

一一修订了50.8mm、125mm、150mm硅片的直径允许偏差，修订了100mm、125mm、150mm

直径切割片的厚度，修订了150mm和200mm直径硅片的翘曲度要求（见表1,2005年版的

表1);

一一增加了硅片弯曲度的要求（见5.3表1);

一一增加了主参考面直径和切口尺寸示意图（见图l);

一一修订硅片的表面取向为“硅片的表面取向有｛100｝、｛110｝、｛111｝，常用的为｛100｝、｛111｝”（见

5.4.1,2005年版的5.4.1);

一一增加了“未包含的其他晶向要求，由供需双方协商确定”（5.4.3);

一一删除了“硅片是否制作参考面，由用户决定”和“硅片主、副参考面取向及位置应符合表2及

表1的规定”（见2005年版的5.4.3、5.4.的；

一一增加了直径不大于150mm硅片主、副参考面位置的示意图（见图2);

一一修订了边缘轮廓的要求（见5.6,2005年版的5.7);

一一删除了硅片每个崩边的周长不大于2mm的规定，经倒角的研磨片对崩边的要求由“《

0.3mm”修订为“元”，并将崩边径向延伸尺寸的要求单列为表4（见5.7.1表4,2005年版的

5.6.1);

一一增加了电阻率、厚度和总厚度变化、