1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种GGG磁制冷晶体及其生长方法.pdfVIP

  • 11
  • 0
  • 约8.7千字
  • 约 6页
  • 2024-02-14 发布于四川
  • 举报

一种GGG磁制冷晶体及其生长方法.pdf

    本发明涉及一种GGG磁制冷晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，第一步、溶解：得到离子混合溶液；第二步、沉淀：向离子混合溶液中加入添加剂，控制温度为20℃，加入饱和碳酸氢铵水溶液，至不再产生气体为止，将反应体系过滤，得到沉淀；第三步、烧结：将得到的沉淀加热，采用阶梯式缓慢增温，温度增加至1400℃采用搅拌桨进行搅拌，保持2h，得到多晶；第四步、提拉生长：长出单晶体。本发明中在进行提拉反应之前通过沉淀法制备多晶原料，然后再进行提拉生长，减少Ga203的挥发问题，提高单晶的光学质量；相对于单一液相

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN115506024A

    (43)申请公布日2022.12.23

    (21)申请号202211200539.2H01F1/01(2006.01)

    (22)申请日2022.09.2

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >