EBSD入门简介(最新整理版).pptxVIP

第六章EBSD技术入门简介2010.11.101.EBSD的原理及应用2.EBSD数据处理演示2023最新整理收集do

something

2/40EBSD术语荧光屏样品电子束背散射电子A花样中心(PC)L(探测距离-DD)工作距离(WD–Z)70degreesL=N/tan20?Nisthedistanceinpixelsonscreenbetween114and001zoneaxisina[001]siliconpattern

3/40什么是背散射电子背散射电子是入射电子与样品相互作用作用后而又逃离样品表面的那部分电子．通常是弹性散射的结果．背散射通常用背散射效率描述：?＝nBSE/nB=iBSE/iB(1)nBSE:背散射电子数，nB：入射电子数,iBSE:背散射电流,iB:入射电流背散射电子的效率

4/401.背散射电子（BSE）入射电子在样品中经过弹性和非弹性散射后，再逸出试样表面的部分高能电子。能量：50eV~E0；溢出深度：几百nm2.二次电子（SE）入射电子使样品原子较外层电子（价带或导带电子）电离产生的电子子。能量：50eV；溢出深度：5nm~10nm3