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- 2024-02-14 发布于四川
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本发明属于温度传感器技术领域，公开一种高温薄膜温度传感器及其制备方法。高温薄膜温度传感器包括陶瓷衬底、沉积在陶瓷衬底表面的铂薄膜敏感层以及覆盖在铂薄膜敏感层和陶瓷衬底上的氧化铝保护层；氧化铝保护层的制备材料包括氧化铝溶胶和氧化铝混合液；氧化铝混合液位于两层氧化铝溶胶间；铂薄膜敏感层一端连接连接电极，连接电极与引线连接。通过真空镀膜技术在陶瓷衬底上沉积了致密的铂薄膜敏感层，然后采用电射流逐层打印技术在铂薄膜敏感层和陶瓷衬底上沉积了氧化铝保护层。本发明的高温薄膜温度传感器的测温上限可达1400℃，该
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117553931A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311437379.8
(22)申请日2023.11.01
(71)申请人大连理工大学
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