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2024-02-14 发布于四川
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一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺.pdf

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本发明涉及碳化硅晶圆技术领域，且公开了一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，包含以下步骤：S1首先，将碳化硅晶圆放入专用的清洗设备中，使用去离子水和酒精进行清洗，去除表面的灰尘和杂质。该碳化硅晶圆研磨抛光工艺，通过超声波清洗机利用超声波的物理特性，使清洗液中的气体和微小颗粒产生震动，从而将它们从清洗液中分离出来，这个过程是通过高频振动产生超声波，将清洗液中的微小气泡迅速破裂，产生强烈的冲击波来实现的，这种冲击波能够将碳化硅晶圆表面的污垢、油脂、尘埃等杂质剥离下来，从而达到清洗的目的，超声波清洗的原理是利用

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117549184A

(43)申请公布日2024.02.13

(21)申请号202311511693.6B08B3/12(2006.01)

(22)申请日2023.11.1

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