单相桥式全控整流电路反电动势负载MATLAB仿真.docxVIP

电力电子仿真

实验报告

一、课程设计名称

单相桥式全控整流电路反电动势负载MATLAB仿真

二、设计任务及条件

1.设计条件：

1)电源电压：交流100V/50Hz

2)输出功率：1KW

3)移相范围：30°?150°

4)反电势：E=70V

2.要求完成的主要任务；

(1)主电路设计(包括整流元件定额的选择和计算等)，讨论晶闸管电路对电网及系统功率因数的影响。

2)触发电路设计：触发电路选型(可使用集成触发器)，同步信号的产生。

(3)晶闸管的过电压保护与过电流保护电路设计，计算保护元件参数并选择保护元件型号。

4)利用仿真软件分析电路的工作过程。

三、设计原理

1.主电路原理图

.∵

工作原理:

当整流电压的瞬时值ud小于反电势E时，晶闸管承受反压而关断，这使得晶闸管导通角减小。晶闸管导通时，ud=u2,id=ud?ER,晶闸管关断时，ud=E。

与电阻负载相比晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称作停止导电角。

δ=arcsinE2U2

若α8时，触发脉冲到来时，晶闸管承受负电压，不可能导通。为了使晶闸管可靠导通，要求触发脉冲有足够的宽度，保证当晶闸管开始承受正电压时，触发脉冲仍然存在。这样，相当于触发角被推迟，即α=8。

四、保护电路的设计

在电力电子电路中，除了电力电子器件参数选择合适、驱动电路设计良好外，采用合适的过电压、过电流、du/dt保护和di/dt保护也是必要的。

4.1过电压保护

以过电压保护的部位来分，有交流侧过压保护、直流侧过电压保护和器件两端的过电压保护三种。

图4-1过电压抑制措施及配置位置

F%避雷器D%变压器静电屏蔽层C%静电感应过电压抑制电容RC；％阀侧浪涌过电压抑制用RC电路RC-%阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV%压敏电阻过电压抑制器RC3%阀器件换相过电压抑制用RC电路RCD判阀器件关断过电压抑制用RCD电路

(1)交流侧过电压保护

可采用阻容保护或压敏电阻保护。

a.阻容保护(即在变压器二次侧并联电阻R和电容C进行保护)

单相阻容保护的计算公式如下：

C≥6?i0%?SU22(μF)

R≥2.3?U22S?uK96i0(Ω)

S：变压器每相平均计算容量(VA)；

U2:变压器副边相电压有效值(V)；

i0%;变压器激磁电流百分值；

U%：变压器的短路电压百分值。

当变压器的容量在(10?1000)KVA里面取值时i0X=(4?10)在里面取值，Uk%=(5?10)里面取值。

电容C的单位为μF，电阻的单位为Ω。

电容C的交流耐压1.5U，.正常工作时阻容两端交流电压有效值。

根据公式算得电容值为2.3μF，交流耐压为150V，电阻值为27.04Ω，在设计中我们取电容为3μF，电阻值为28Ω。

压敏电阻保护

U1m=132U2=1.3×2×100=183.85V

选MYG-40D210K型压敏电阻(允许偏差+10%)作交流侧浪涌过电压保护。

(2)直流侧过电压保护

直流侧保护可采用与交流侧保护相同的方法，可采用阻容保护和压敏电阻保护。但采用阻容保护易影响系统的快速性，并且会造成di∣dt加大。因此，一般不采用阻容保护，而只用压敏电阻作过电压保护。U106≥(1.8～2)UDE=(1.8～2.2)×101.31=182.36～222.88V选MYG?40D210K型压敏电阻(允许偏差+10%)）作直流侧过压保护。

4.2过电流保护

路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。

快速熔断器的断流时间短，保护性能较好，是目前应用最普遍的保护措施。快速熔断器可以安装在直流侧、交流侧和直接与晶闸管串联。

与晶闸管串联的快速熔断器的选用一般遵循以下几条原则：

(1)快速熔断器的额定电压应大于线路正常工作电压的有效值。

(2)快速熔断器的额定电流Ikg是指电流有效值，晶闸管额定电流是指电流平均值(通态电流平均值)。选用时要求快速熔断器的熔体额定电流Ikg小于被保护晶闸管额定电流所对应的有效值的1.57Iτ(xν)，同时要大于正常运行时线路中流过该元件实际电流有效值I+。即1.57IT(AV)≥IKR≥IT

式中Ir(xv)—一晶闸管通态电流平均值

Ikκ—一快速熔断器的熔体额定电流

Ir——流过晶闸管的电流有效值

(3)熔断器(安装熔体的外壳)的额定电流应大于或等于熔体额定电流值。

接电阻-反电动势负载的单相全控桥电路，通过晶闸管的有效值IT=8.05A,Ir(av)=10.25A，那么选择IRR=10A比较合适。

选取RLS-10快速熔断器，熔体额定电流10A。

4.3电流上升率di/dt的抑制

晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密很大，然后以0.1mm/μs的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通时电流上升率di/dt过大，会导致P