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PN结
PN结中载流子的运动PN结的单向导电性PN结的形成PN结的电容效应
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体，另一侧掺杂成为N型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为PN结。PNPN结图1PN结的形成PN结的形成
PN结中载流子的运动耗尽层空间电荷区PN1.扩散运动2.扩散运动形成空间电荷区电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。PN结，耗尽层。PN
3.空间电荷区产生内电场PN空间电荷区内电场Uho负离子之间电位差Uho——电位壁垒内电场阻止多子的扩散——阻挡层4.漂移运动内电场有利于少子运动——漂移漂移运动与扩散运动方向相反阻挡层
5.扩散与漂移的动态平衡扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；当扩散电流与漂移电流相等时，PN结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。扩散运动与漂移运动达到动态平衡。PN
PN结的单向导电性1.PN结外加正向电压时正偏-----P:接“+”端，N:接“-”端外电场方向内电场方向耗尽层VRIPN图2空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流。
耗尽层图3PN结加反相电压时截止反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感，随着温度升高，IS将急剧增大。PN外电场方向内电场方向VRIS2.PN结外加反向电压时——截止状态(反偏)
当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态。可见，PN结具有单向导电性。3.综上所述
PN结的电容效应当PN上的电压发生变化时，PN结中储存的电荷量将随之发生变化，使PN结具有电容效应。电容效应势垒电容扩散电容
1.势垒电容Cb由PN结的空间电荷区变化形成的(a)PN结加正向电压（b)PN结加反向电压-N空间电荷区PVRI+UN空间电荷区PRI+-UV空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。
2.扩散电容Cd由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。正向电压变化时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程——扩散电容效应。PNPN结
3.综上所述1）PN结的结电容Cj包括势垒电容Cb和扩散电容Cd4）Cb和Cd值都很小，通常为几个皮法~几十皮法，有些结面积大的二极管可达几百皮法3）当反向偏置时，势垒电容起主要作用，Cj?Cb2）当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，Cj?Cd5）在信号频率较高时，须考虑结电容的作用
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