(3)--1.3晶体三极管基本知识.pptVIP

可见三极管由三个区两个结构成，NPN型三极管对应的电路符号如图所示用字母T表示，箭头方向由P指向N,表明基区为P型半导体，发射区为N型半导体。对于PNP性晶体管，它是由两层P型半导体中间夹着一层N型半导体构成，形象的称为PNP型晶体管，同样它也有三个区两个结，其电路符号也是由字母T表示，箭头方向表示发射结由P指向N，表明基区为N型半导体。因为晶体管有三个电极，那么在放大电路中根据输入端、输出端和公共端的不同我们可以分出三种连接方式，又称为三种组态，若信号从晶体管的b-e极间输入形成输入回路，从c-e间输出，形成输出回路公共端为e，称为共发射极组态，除此之外还有共集电极组态和共基极组态，既然晶体管是放大电路的核心元件，那么请同学思考一下，在放大状态下晶体管内的载流子是如何运动呢？我们从晶体管的内部出发进一步认识晶体管也就是介绍当大状态下晶体管内部载流子的传输过程，为此我们首先介绍晶体管工作在放大状态应该满足的条件，晶体管工作的条件包括内部条件和外部条件。内部条件是针对三个区而言的，要求基区很薄并且掺杂浓度最低，发射区掺杂浓度很高，和基区接触面积较小，集电区掺杂浓度较高接触面积较大，虽然发射区和集电区均为同种类型的半导体，但由于两区结构不同，所以发射极和集电极不能互换。晶体管工作的外部条件是针对两个结而言的，晶体管处于何种工作状态，完全取决于发射结和集电极结的偏置状态。当外加电源的极性是发射结处于正偏状态，集电结处于反偏状态时晶体管工作在放大状态，对于NPN来说要求UBE0，UBC0,对于PNP管情况正好相反。无论是NPN还是PNP型晶体管，其内部载流子的运动规律都相同，为此不妨以NPN型晶体管为例，为了使晶体管处于放大状态，在基极和发射机之间接上直流电源VBB和限流电阻Rb，使发射结处于正偏，在发射极和集电极之间接上直流电源VCC和电阻Rc，使集电结处于反偏。下面说明在放大状态下，晶体管内部载流子的传输过程，首先是发射区向基区注入电子由于VBB的作用使发射结正偏，发射区和基区中的多子向对方扩散，因为发射区电子浓度很高，远大于基区的空穴浓度，故近似认为发射区大量的多子电子扩散到基区，VBB的负极不断向发射区补充电子形成发射极电流IE其次是电子在基区中的复合和传输，有晶体管内部条件可知，一是由于基区掺杂浓度很低这样将使得扩散到基区的大量电子中，仅有极少数的电子被基区空穴复合，形成基区复合电流IBN，同时电源VBB不断的从基区拉走电子等效于向基区提供空穴，使基区保持电中性；二是由于基区很薄，是绝大多数的电子很快运动到面积较大的集电结边缘；2.最后是集电区收集电子的过程，由于VBB和VCC的共同作用使集电结反偏，在外电场作用下集电区一定吸引分布在基区中集电结边缘的大量电子形成电流ICN；二是促使基区和集电区中的少子向对方飘移，形成了反向饱和电流ICEO,其值很小，可见发射区掺杂的浓度较高的作用是发射载流子，集电区是收集载流子，基区做为控制区，控制从发射区移动到集电区的载流子数量，因为晶体管内参与导电的有度数载流子和少数载流子，故形象的称为双极型晶体管。请同学们思考下由于晶体管内部载流子运动形成电流，那么这些电流之间又有什么关系呢？我们知道了晶体管内部载流子的传输规律，在此基础上，我们研究晶体管的电流分配关系，把晶体管内载流子的运动过程通过电流的形式表现出来，如图所示的各极电流分配示意图，电流的方向与电子运动方向相反，从管内各极电流分配可以看出集电极电流等于，基极电流等于发射极电流等于将上述两式带入可得，为了说明晶体管电流的控制作用，常引入两个参数（1）共基直流放大系数，通常将ICN与IE之比定义为共基极直流电流放大系数，由于发射区发射的电子解绝大部分能够到达集电区形成ICN，而只有很少一部分与基区中的空穴复合形成IEN，因此，若将定义式代入集电极电流的表达式可得到，当忽略少数载流子形成的ICEO时可得，可见在共基极电路的接法中改变输入电流IE可以控制输出电流IC，体现了晶体管的电流控制作用（2）共射直流电流放大系数，通常将ICN与IBN之比定义为共射极直流电流放大系数，由于在常温下少数载流子形成的ICBO很小，因此穿透电流也很小，当忽略其影响时可得。一般晶体管的β值约为几十到几百，显见在共射极接法电路中只要稍微改变输入电流IB就可以使输出电流IC有很大的变化，实现了电流控制和放大作用，请同学们思考下，在共射电路中晶体管输入输出电压与其相应的电流之间有什么关系呢？晶体三极管基本知识晶体管及其特性——认识晶体管一、晶体管的结构和符号小功率管中功率管大功率管认识晶体管半导体三极管也称双极型晶体管，简称晶体管或三极管。是由2个PN结构成的。按结构可分为：NPN型和PNP型。结构示意图如下：