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模拟电子技术基础;1常用半导体器件;1.场效应管的特点和分类;3.绝缘栅型场效应管;(1)N沟道增强型MOS管的工作原理;当vGS进一步增加时,一方面耗尽层增宽,另一方面衬底的自由电子被吸引到耗尽层与绝缘层之间,形成一个N型薄层,称之为反型层,构成了漏-源之间的导电沟道(也称感生沟道),如图3所示。;7;(2)N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程;(二)N沟道耗尽型MOS管(其结构和符号如图6所示)
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