(5)--1-01PN结模拟电子技术基础.pptVIP

模拟电子技术基础

1.1.3PN结一、PN结(PNJunction)的形成1.扩散:载流子的浓度差引起多子的运动。2.复合：使交界面形成空间电荷区(耗尽层)空间电荷区特点:无载流子，阻止扩散进行。

3.漂移运动：在电场力的作用下，载流子的运动。

——少子的运动方式

动态平衡扩散电流＝漂移电流总电流I=0。形成PN结

PN结形成示意图

1.正向偏置：PN结的P区接外电源的正极，N区接外电源的负极称为“正向连接”，也叫做“正向偏置”。二、PN结的单向导电性外电场使多子向PN结移动,使空间电荷区变窄。扩散运动加强，形成正向电流，PN结导通。IF=I多子?I少子?I多子限流电阻

二、PN结的单向导电性2.反向偏置：PN结的P区接外电源的负极，N区接外电源的正极，称为“反向连接”，也叫做“反向偏置”IR=I少子?0外电场使少子背离PN结移动，空间电荷区变宽。漂移运动加强形成反向电流IR，PN结截止。

PN结单向导电性的特点正向导通、反向截止；正向电阻小、反向电阻大；反向电流小、正向电流大；正向电流是多子的扩散电流，与外加电压有关，电压越高，电流越大；反向电流是少子的漂移电流，称为反向饱和电流。与外加电压无关，与激发有关。

三、PN结的电流方程反向饱和电流温度的电压当量电子电量玻尔兹曼常数当T=300(27?C)：UT=26mV（1.1.3)热力学温度

四、PN结的伏安特性1.当PN结正向偏置，且正向电压u＞＞UT（≈26mV）时，可简化为：Ou/VI/mA正向特性u2.6mV26mV260mV1V1.5V2.6V0.111038.557.71001.102.718220265.25E+161.14E+252.69E+43I与u之间呈指数关系

Ou/VI/mA正向特性反向击穿四、PN结的伏安特性2.当PN结反向偏置时：U＜0

小结1.PN结的形成2.PN结正向偏置特性3.PN结反向偏置特性