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电子科技大学微固学院

标准实验报告

（实验）课程名称 微电子器件

电子科技大学教务处制表

电子科技大学

实验报告

学生姓名：学号：指导教师：张有润

实验地点： 211楼605实验时间：2017.6.12

一、 实验室名称：微电子器件实验室

二、 实验项目名称：场效应晶体管直流特性的测试

三、 实验学时：3

四、 实验原理：

1、 实验仪器为XJ4810图示仪，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E间（相当于场效应管的G.S之间）外接一个电阻（如接1kQ电阻），将输入电流转换成输入电压。

测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即S（源极）对应E（发射极）；G（栅极）对应B（基极）；D（漏极）对应C（集电极）。

值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。

2、 如下图1所示，当把晶体管特征图示仪的阶梯信号调至电压时，则提供Vds的锯齿波扫描电压和Vgs的阶梯变化，且两者——对应，便产生Vgs从Vgs1、Vgs2、Vgs3等Vds从零到最大值的曲线族。从而测量MOS晶体管的直流特性，场效应晶体管的直流特性包含：直流输入特性——Ids?Vgs；直流输出特性——Ids?Vds和阈值电压七。

图1图2

3、输出特性与转移特性

输出特性曲线（ids—vds）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图2所示。在曲线中，工作区可分为三部分：I是可调电阻区（或称非饱和区）；II是饱和区；III是击穿区。

转移特性曲线为IDS—VDS之间的关系。转移特性反映场效应管栅极的控制能力。由于结型场效应晶体管都属于耗尽型，且栅源之间相当于一个二极管，所以当栅压正偏（VGS0）并大于0.5V时，转移特性曲线开始弯曲，如图2-2中正向区域虚线所示。这是由于栅极正偏引起栅电流使输入电阻下降。这时如果外电路无保护措施，易将被测管烧毁，而MOS场效应管因其栅极有SiO2绝缘层，所以即使栅极正偏也不引起栅电流，曲线仍向上升，如图3所示。

MOSFET匕一

MOSFET

匕一TFET

图3

4、阈电压V

T

开启电压VT是对增强型管而言。它表示在一定漏源电压VDS下，开始有漏电流时对应的栅源电压值。

5、 跨导（g）

m

跨导是漏源电压一定时，栅压微分增量与由此而产生的漏电流微分增量之比，即：

d!

g=—DS

mdV

GSVDSC

跨导表征栅电压对漏电流的控制能力，是衡量场效应管放大作用的重要参数，类

似于双极管的电流放大系数，测量方法也很相似。

跨导常以栅压变化1V时漏电流变化多少微安或毫安表示。它的单位是西门子，用

S表示，1S=1A/V。或用欧姆的倒数“姆欧”表示。

6、 击穿电压（BVQ

当栅源电压vgs为一定值时，使漏电流ids开始急剧增加的漏源电压值，用bvds表示。

当vgs不同时，bvds亦不同，通常把vgs=0时对应的漏源击穿电压记为bvds。

五、 实验目的：

1、 学会识别场效应晶体管的管脚。

2、 掌握场效应晶体管直流特性的测量原理和方法，理解场效应晶体管的基本参数和工作原理。

3、 测试场效应晶体管的输出特性和转移特性、跨导、夹断电压和开启电压、击穿电压。

六、 实验内容：

1、 学会识别场效应晶体管的管脚。

2、 测试输出特性与转移特性

3、 测试阈电压V

T

4、 测试跨导（g）

m

5、 测试击穿电压（BVQ

七、 实验器材（设备、、元器件）：

晶体管特征图示仪，2N7000增强型NMOS晶体管。

八、实验步骤:

1、 开启电源，预热5分钟，调节“辉度”、“聚焦”、“辅助聚焦”使显示清晰。

2、 识别MOS晶体管的管脚，按步骤逐一测试。

3、 测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即S（源极）对应E（发射

极）；G（栅极）对应B（基极）；D（漏极）对应C（集电极）。

4、 测试阈电压V

T

将MOS场效应晶体管G、D、S分别接入图示仪的B、C、E端，将B、C端短路使其处于饱和状态。图示仪选择NPN、发射极接地、阶梯单族、阶梯电流最小。由Ids?Vgs得VT。

5、 击穿电压BV

DS

将峰值电压旋钮转回原始位置，电压范围改为0-200V，x轴集电极电压改为5V/度，或10V/度，加大功耗电阻，再调节峰值电压，最下面一条输出特性曲线的转折点处对应的x轴电压，即为BVDS值。

九、实验数据及结果分析：

1

阈值电压 5

夸导 *

i源击穿

M