电子教材 5.1-5 光电池原理及应用.docVIP

《传感器与检测技术》—电子教材

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光电池原理及应用

一、光电池

光电池的工作原理基于光生伏特效应，能将入射光能量转换为电压和电流。它的制作材料种类很多，如硅、砷化镓、硒、锗、硫化锡等，其中应用最广泛的是硅光电池。硅光电池性能稳定、光谱范围宽、频率特性好、转换效率高且价格便宜。从能量转换角度来看，光电池是作为输出电能的器件而工作的。例如人造卫星上就安装有展开达十几米长的太阳能光电池板。从信号检测角度来看，光电池作为一种自发电型的光电传感器，可用于检测光的强弱以及能引起光强变化的其他非电量。

1.结构及工作原理

硅光电池是在N型硅片衬底上制造一薄层P型层作为光照敏感面，形成一个大面积的PN结，如图5-14所示。P型层做得很薄，从而使光线能穿透到PN结上。当光照能量足够大时，就将在PN结附近激发产生电子-空穴对，这种由光激发生成的电子-空穴对称为光生载流子。它们在结电场的作用下，电子被推向N区，而空穴被拉向P区。这种推拉作用的结果，使得N区积累了多余电子而形成为光电池的负极，而P区因积累了空穴而成为光电池的正极，因而两电极之间便有了电位差，这就是光生伏特效应。

图5-14光电池的结构、符号和外形

2.基本特性

(1)光谱特性：图5-15所示为硒、硅、锗光电池的光谱特性。从曲线上可以看出，它们的光谱峰值位置是不同的，而且光谱响应波长范围也不一样。硅光电池的响应波长范围约在0.45～1.4μm之间，而硒光电池的响应波长范围约在0.34～0.7pm之间。目前已生产出峰值波长为0.64μm(可见光)的硅光电池，在紫光(0.4μm)附近仍有65%～70%的相对灵敏度，这大大扩展了硅光电池的应用领域。硒光电池和储光电池由于稳定性较差，目前应用较少。

图5-15光电池的光谱特性

(2)光照特性：硅光电池的负载不同，特性也不同。图5-16所示为负载在两种极端情况下的特性曲线。光电池负载开路时的开路电压与光照度的关系曲线，显然呈非线性关系，近似于对数关系，起始电压上升很快，在2000k以上便趋于饱和。当负载短路时，短路电流与光照度的关系曲线为线性关系。但随着负载电阻的增加，这种线性关系将变差。因此，当测量与光照度成正比的其他非电量时，应把光电池作为电流源来使用，当被测量是开关量时，可把光电池作为电压源来使用。

(3)频率特性：频率特性是描述入射光的调制频率与光电池输出电流间的关系。由于光电池受照射产生电子-空穴对需要一定的时间，因此当入射光的调制频率太高时，光电池輸出的光电流将下降。硅光电池的面积越小，PN结的极间电容也越小，频率响应就越好硅光电池的频率响应可达数十千赫兹至数兆赫兹，硒光电池的频率特性较差，目前已较少使用。

(4)温度特性：温度特性是描述光电池的开路电压Uo和短路电流c随温度变化的特性。从图5-17中可以看出，开路电压随温度增加而下降的速度较快，电压温度系数约为-2mV/℃。而短路电流随温度上升而缓慢增加，温度系数较小。当光电池作为检测元件时，应考虑温度漂移的影响，采取相应措施进行补偿。

图5-16光电池的光照特性图5-17光电池的温度特性

二、光电池的测量电路

1.光电池开关控制电路

利用半导体硅光电池的光电开关电路如图5-22所示。由于光电池即使在强光下最大输出电压也仅0.6V，不足以使VT1管有较大的电流输出，故将硅光电池接于VT1管基极，再用二极管2AP产生正向0.3V的电压，二者电压叠加使VT1管的e、b极间电压大于0.7V而使VT1管能导通。

图5-22光电池控制开关电路

2.硅光电池组成的光控闪光器

图5-23所示为硅光电池组成的光控闪光器电路图。

图中，电阻R与光敏电阻RG、电位器RP1和RP2组成分压电路。在夜晚无光照射时，RG的电阻值较高，其上面的压降较大，所以输入到晶体管VT的基极电流较大，VT1导通，VT2也随之导通，该基极电流经VT1和VT2放大后，由VT2的集电极输出，一部分经电容C耦合到VT1的基极形成正反馈，满足了电路

图5-23硅光电池组成的光控闪光器电路图

的振荡条件。由于C的容量较大，故振荡频率很低，VT2把放大了的振荡信号以脉冲电流形式输送给信号灯H，它就一闪一闪地发光。在白天有光照射时RG内阻下降，因此经R流入VT1的基极电流，因分流，电流大为减少，使VT1由异通变为截止，同时VT2也截止，信号灯熄灭。这时，硅光电池组由于有光照射，产生较高的电压，并向蓄电池充电。调整R、C可改变闪光频率和亮灭时间比。由于RP1是和RG并联后又与RP2串联，所