(1.7)--1.3.2 半导体二极管的伏安特性.pptVIP

半导体二极管

的

伏安特性

处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是

反向伏安特性曲线。半导体二极管的伏安特性

根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可表示为：IS，反向饱和电流u，二极管两端的电压降UT=kT/q，温度的电压当量K，玻耳兹曼常数，q为电子电荷量T，热力学温度。室温时，UT=26mV

当0＜u＜Uon时，正向电流为零，Uon称为死区电压或开启电压。当u＞0时，处于正向特性区域。正向区分为两段：正向特性

正向特性硅二极管的死区电压Uon=0.5V左右，锗二极管的死区电压Uon=0.1V左右。当u＞Uon时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。

当u＜0时，处于反向特性区域。反向区也分两个区域：当UBR＜u＜0时，反向电流很小，且几乎不变，此时的反向电流也称反向饱和(Saturation)电流IS。反向特性

反向特性当u≥UBR时，在一定的电流范围内管压降几乎保持UBR不变，UBR称为反向击穿电压。利用其反向击穿特性的二极管称为稳压管，UBR表示为UZ。

在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。

ui死区电压

硅管0.5V

锗管0.1V导通压降:

硅管0.6~0.7V

锗管0.2~0.3V反向击穿电压UBR要点

休息一会