(1.16)--1.4.4 晶体三极管的特性曲线.pptVIP

1晶体三极管

的

特性曲线

三极管的特性曲线是指

三极管各电极电压与电流之间的关系曲线，

它是三极管内部载流子运动的外部表现。由于三极管是非线性元件，不能用一个固定的数值或一个简单的方程式来表示各电极电压与电流之间的关系，所以要用

伏安特性曲线对它进行描述。工程上最常用到的是输入特性和输出特性曲线。晶体三极管的特性曲线

晶体三极管的特性曲线共发射极电路的特性曲线1输入特性曲线——iB=f(uBE)?uCE=const2输出特性曲线——iC=f(uCE)?iB=const

1、输入特性曲线电路模型++??iBiCvBEvCE2、输出特性曲线模型++??iBiCvBEvCE

共射极电路的特性曲线测试电路ICmA?AVVUCEUBERBIBECEB

iB和uBE之间的函数关系曲线。简单地看，类似于发射结的伏安特性曲线。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除uCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使uCE=const(常数)。1输入特性曲线++??iBiCvBEvCE

1输入特性曲线：①死区②非线性区③线性区

uCE对iB的影响：uCE＝1V时，集电结加了反向电压，集电结吸引电子能力加强，使得发射区进入基区的电子更多的流向集电区，基极电流相对减小，因此曲线右移。uCE1V以后的输入特性曲线变化不大。输入特性曲线iB=f(uBE)?uCE=const

输出特性曲线输出特性曲线——iC=f(uCE)?iB=const++??iBiCvBEvCE2

输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区截止区放大区饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内

uCE的数值较小，一般uCE＜uBE，?iBiC。此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。

截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。iB=0,iC=ICEO,uBE死区电压，输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区截止区放大区

输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区截止区放大区放大区——iC平行于UCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，uCE电压大于uBE。此区域内，iC只与iB有关，满足iC=?iB，称为线性区（放大区）。

三极管结电压的典型值

要点01理解三极管的输入特性曲线和输出特性曲线，并能随手画出。02输出特性曲线是一族曲线。理解输出特性曲线三个工作区。03晶体三极管的特性曲线

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