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1.2半导体二极管

1.2.1二极管的组成1.2半导体二极管

1.2.1二极管的组成1.2.2二极管的伏安特性1.2半导体二极管

1.2.1二极管的组成1.2.2二极管的伏安特性1.2.3二极管的主要参数1.2半导体二极管

1.2.1二极管的组成1.2.2二极管的伏安特性1.2.3二极管的主要参数1.2半导体二极管1.2.4稳压二极管

1.2.1二极管的组成

1.2.1二极管的组成将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。

1.2.1二极管的组成将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。小功率二极管

1.2.1二极管的组成将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。小功率二极管大功率二极管

1.2.1二极管的组成将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。小功率二极管大功率二极管稳压二极管

1.2.1二极管的组成将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。小功率二极管大功率二极管稳压二极管发光二极管

1.2.2二极管的伏安特性二极管的电流与其两端电压的关系称为伏安特性。

1.2.2二极管的伏安特性二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。

1.2.2二极管的伏安特性温度的电压当量二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。

1.2.2二极管的伏安特性二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。

1.2.2二极管的伏安特性二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。开启电压

1.2.2二极管的伏安特性二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V锗Ge

1.2.2二极管的伏安特性二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V锗Ge0.1V

1.2.2二极管的伏安特性二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.6~0.8V锗Ge0.1V0.1~0.3V

1.2.2二极管的伏安特性二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.6~0.8V锗Ge0.1V

1.2.2二极管的伏安特性二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。开启电压反向饱和电流

1.2.2二极管的伏安特性开启电压反向饱和电流击穿电压二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。

1.2.2二极管的伏安特性材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.6~0.8V1μA以下锗Ge0.1V0.1~0.3V几十μA二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。

从二极管的伏安特性可以反映出：1.二极管具有单向导电性

从二极管的伏安特性可以反映出：正向特性为指数曲线1.单向导电性

从二极管的伏安特性可以反映出：正向特性为指数曲线反向特性为横轴的平行线1.单向导电性

从二极管的伏安特性可以反映出：2.伏安特性受温度影响T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓

从二极管的伏安特性可以反映出：2.伏安特性受温度影响T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓→反向饱和电流IS↑，U(BR)↓

从二极管的伏安特性可以反映出：2.伏安特性受温度影响T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓→反向饱和电流IS↑，U(BR)↓增大1倍/10℃

从二极管的伏安特性可以反映出：2.伏安特性受温度影响T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓→反向饱和电流IS↑，U(BR)↓T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移增大1倍/10℃

1.2.3二极管的主要参数最大整流电流IF：最大平均值

1.2.3二极管的主要参数最大整流电流IF：最大平均值最大反向工作电压UR：最大瞬时值

1.2.3二极管的主要参数最大整流电流IF：最大平均值最大反向工作电压UR：最大瞬时值反向电流IR：即IS

四、稳压二极管1.伏安特性由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。

四、稳压二极管1.伏安特性由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。限流电阻

四、稳压二极管1.伏安特性进入稳压区的最小电流由一个PN

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